Quimisorción y la formación de la barrera Schottky la formación de la interfase metal alcalino-AsGa(110)
- Autores: José Ortega Mateo
- Directores de la Tesis: Fernando Flores Sintas (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 1991
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Rodolfo Miranda Soriano (presid.), Álvaro Martín Rodero (secret.), José Luis Sacedón Adelantado (voc.), Luis Seijo (voc.), Alfonso Muñoz González (voc.)
- Materias:
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- Resumen
En este trabajo se ha analizado teóricamente la formación de la barrera schottky en las interfases ideales metal alcalino-asga (110). Este análisis ha sido posible gracias al desarrollo de un método teórico de primeros principios que permite calcular las propiedades electrónicas y estructurales de las diferentes interfases.En particular, se han estudiado las energías de Quimisorción, la densidad local de estados y el nivel de fermi para las interfases entre li, na y k con asga (110) para los recubrimientos de o=1, o=1/2 y o 1. Además, se han analizado los efectos de correlación en la banda de superficie inducida por los átomos alcalinos en el gap del semiconductor. Los resultados obtenidos se comparan con la información experimental disponible.
