Simulaciones cuánticas de semiconductores mediante integrales de camino de Feynman

• Autores: José Carlos Noya Escudeiro
• Directores de la Tesis: Rafael Ramírez (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 1998
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Enrique García Michel (presid.), María Soler Jose (secret.), Enrique Chacón Xérica (voc.), Eduardo Enciso Rodríguez (voc.), Luis Fernando Mederos Martín (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Semiconductores
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología de materiales
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• Resumen

  • Mediante simulaciones de monte carlo usando las integrales de camino estudiamos propiedades de equilibrio que dependen del caracter cuántico de los núcleos; tales como el parámetro de celda; la capacidad calorífica; etc.

    usando la aproximación de la teoría cuántica del estado de transición se ha calculado la constante de reorientación del complejo B-H en silicio; poniendo de manifiesto la transición a 60 k de un régimen de difusión clásico a uno mediante tunel activado por fonones.