En este trabajo se formula un modelo fisico basado en la conduccion por tunel resonante del dispositivo metal-aislante-semiconductor-semiconductor (miss) que explica los resultados experimentales. Obtenemos expresiones analiticas de su caracteristica tension-corriente de la corriente y de la tension en el punto de conmutacion asi como de la impedancia del dispositivo en estado estacionario.
© 2001-2024 Fundación Dialnet · Todos los derechos reservados