Ruptura dielèctrica i fiabilitat de l'aïllant de porta en tecnologies cmos sub-65nm
- Autores: Santi Tous Martinez
- Directores de la Tesis: Jorge Francisco Suñe Tarruella (dir. tes.)
- Lectura: En la Universitat Autònoma de Barcelona ( España ) en 2011
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Francesca Campabadal Segura (presid.), Ángel Rodríguez Martinez (secret.)
- Materias:
- Texto completo no disponible (Saber más ...)
- Resumen
El objetivo general de la tesis es hacer un estudio de la distribución del tiempo de fallo relacionado con la ruptura dieléctrica del óxido de puerta en dispositivos MOS con el fin de desarrollar una metodología de fiabilidad que pueda ser implementada a nivell industrial. En este sentido, la tesis hace aportaciones muy significativas en diversos ámbitos relacionados con la fiabilidad del óxido de puerta en dispositivos MOS avanzados.
Se ha presentado un modelo para la distribución de la corriente inicial de fugas en muestras vírgenes que considera la heterogeneidad en el grosor del óxido de las muestras y los defectos extrínsecos. A partir de este modelo se ha relacionado cuantitativamente la corriente de fugas con un modelo de distribución de ruptura que considera ambos tipos de defectos.
Se ha considerado extensamente la estadística de ruptura progresiva (fundamental para dieléctricos ultradelgados de óxido de silicio) i la estadística de dieléctricos multicapas.
Se ha propuesto un modelo analítico compacto para la distribución de fallo, así como una metodología para a la evaluación de la fiabilidad del óxido basada en un umbral de corriente a partir del límite de Weibull inferior de la distribución de fallo.
Se ha avanzado también en la comprensión física del modelo percolativo de ruptura y se ha presentado una aproximación analítica para la estadística de dieléctricos multicapas que combinan SiO2 con un dieléctrico de elevada constante dieléctrica.
