Compatibilització de sensors tipus isfet i circuits cmos: aspectes tecnólogics i estructures de test

• Autores: Isabel Gràcia Tortadès
• Directores de la Tesis: Carles Cané Ballart (dir. tes.)
• Lectura: En la Universitat Autònoma de Barcelona ( España ) en 1994
• Idioma: catalán
• Tribunal Calificador de la Tesis: Francisco Serra Mestres (presid.), Jaume Esteve Tintó (secret.), Eugeni Garcia Moreno (voc.), Anla Herns Berengeur (voc.), Josep Calderer Cardona (voc.)
• Materias:
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología electrónica
      • Antenas
      • Dispositivos semiconductores
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• Resumen

  • Los sensores tipo isfet han adquirido en la actualidad una gran importancia debido al gran numero de ventajas que incorporan respecto a los dispositivos macroscopicos sensores de ph. En este trabajo basandonos en un proceso basico de fabricacion de isfet's se presenta la evolucion hacia la fabricacion de un sensor compatible con una tecnologia cmos y el estudio detallado de las etapas mas criticas del proceso consistente en la fabricacion conjunta del sensor y circuiteria. Se presenta el proceso compatible con una tecnologia cmos de 5 micras y las variaciones que supone la compatibilizacion con algunas tecnologias mas avanzadas. El tiempo de vida de los sensores de ph, isfet's viene determinado por la degradacion de materiales tanto de pasivacion como de encapsulado debido a sus condiciones habituales de funcionamiento (inmersion en medios liquidos). Por ello se propone el uso de estructuras de test, basadas en transistores mos y meandros de metal, para monitorizar dicha degradacion. Estas estructuras han sido sometidas a diferentes pruebas: variacion de liquidos, variacion de la temperatura de trabajo... Y se ha demostrado su validez como monitores de degradacion mediante el uso de una caracterizacion estandard completa.