Confinamiento nanoscópico en estructuras semiconductoras cero-dimensionales
- Autores: José Luis Movilla Rosell
- Directores de la Tesis: Josep Planelles Fuster (dir. tes.)
- Lectura: En la Universitat Jaume I ( España ) en 2007
- Idioma: español
- Número de páginas: 320
- Tribunal Calificador de la Tesis: Francisco Tomás Vert (presid.), Fernando Rajadell Viciano (secret.), Wlodzimierz Jaskolski (voc.), Marti Pi Pericay (voc.), Vicent Climent Jordá (voc.)
- Materias:
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- Resumen
Las heteroestructuras semiconductoras cero-dimensionales suscitan en la actualidad un gran interés tanto a nivel tecnológico como en el ámbito de la física fundamental. Su reducido tamaño (por el que manifiestan efectos cuánticos) junto a la flexibilidad que ofrecen en el diseño de su estructura energética las hace especialmente atractivas para su uso como componentes activos de una nueva generación de dispositivos capaces de operar en la escala nanométrica. Desde el punto de vista fundamental constituyen el marco idóneo para la exploración y el estuido de fenómenos físicos noveles, pues permiten el diseño de condiciones únicas difícilmente alcanzables en sistemas naturales. La distribución espectral de energías y la distribuciones de carga de electrones y huecos en la heteroestructura vienen determinadas por el efecto conjunto de diversas fuentes de confinamiento.
En esta Tesis construimos una herramienta computacional que permite describir dichos efectos de forma conjunta y realista, y la empleamos tanto para resolver problemas concretos de interés aplicativo como para explorar terrenos de nueva física. Hacemos especial hincapié sobre la influencia del confinamiento dieléctrico, proponiendo una mejora en el tratamiento computacional del potencial de auto energía que nos permite evidenciar la riqueza de la física que emerge cuando el confinamiento dieléctrico supera en relevancia al generalmente más conocido y determinante confinamiento espacial.
