Contribucion al estudio por espectroscopia infrarroja de capas delgadas de sic y bn
- Autores: Maria Ben el Mekki
- Directores de la Tesis: Jordi Pascual (dir. tes.)
- Lectura: En la Universitat Autònoma de Barcelona ( España ) en 1998
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Teresa Mora M (presid.), Carlos Dominguez (secret.), José Millán Gómez (voc.), Josep Calderer Carmona (voc.), Joan Esteve (voc.)
- Materias:
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- Resumen
En resumen, se han estudiado y caracterizado varias capas delgadas de SiC y BN por espectroscopia infrarroja que es una técnica no destructiva, potente, sencilla y que nos permite obtener información sobre los efectos intrínsecos y extrínsecos del material.
Por lo que se refiere al SiC, se han estudiado capas estequiometricas depositadas por MBE a partir de fuente sólida o gaseosa y capas depositadas por CVD a baja presión utilizando el precursor organometálico (Si(CH3)4) y se ha establecido una correlación entre las características de las capas y las condiciones de depósito. Se ha mostrado también a partir de los espectros de RIR, la posibilidad de depositar este material con buena calidad cristalina a temperaturas más bajas lo que abarata su coste. También se han estudiado capas de SiC no estequiometricas de SiC y se ha determinado la relación entre la composición x en las capas y el índice de refracción de estas mismas.
Finalmente nos hemos extendido al estudio de capas de h-BN y hemos determinado la orientación del eje principal c realizando medidas con luz polarizada. También se ha explicado el fenómeno de inversión de los modos LO y TO tanto en el caso de h-BN/Si como en el caso de h-BN/NiCr y se ha asociado al ángulo de Brewster.
