Estudio de dispositivos de potencia igbt laterales y efecto de la temperatura sobre sus caracteristicas electricas

• Autores: Miquel Vellvehi Hernandez
• Directores de la Tesis: Jose Andres Rebollo Palacios (dir. tes.)
• Lectura: En la Universitat Autònoma de Barcelona ( España ) en 1998
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Joan Peracaula (presid.), José Millán Gómez (secret.), Francisco Serra Mestres (voc.), Enrique J. Dede (voc.), Luis A. Bailón Vega (voc.)
• Materias:
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología electrónica
      • Dispositivos semiconductores
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• Resumen

  • Este trabajo va dirigido al estudio del comportamiento eléctrico de estructuras IGBT laterales, haciendo especial énfasis en su comportamiento térmico. Se han diseñado, fabricado y caracterizado 5 tipos diferentes de estructuras IGBT laterales, de las cuales dos son de concepción propia. Las simulaciones realizadas muestran un mejor comportamiento eléctrico de la nueva estructura diseñada en el marco de este trabajo. Estos resultados han sido corroborados experimentalmente. La otra estructura propuesta está basada en la anterior, pero añadiendo una difusión de shorted-anode para la mejora de las pérdidas en conmutación. Se ha puesto especial interés en el desarrollo de un sistema de caracterización dinámica que permitiera hacer medidas dinámicas ya sea bajo carga resistiva e inductiva.