Contribucion al diseño de circuitos bicmos y al modelado de sus fallos
- Autores: Vicente Jiménez Serres
- Directores de la Tesis: Ramon Alcubilla González (dir. tes.)
- Lectura: En la Universitat Politècnica de Catalunya (UPC) ( España ) en 1998
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Luis Castañer Muñoz (presid.), Joan Figueras Pamies (secret.), Francisco Serra Mestres (voc.), José Luis Huertas (voc.), Eugeni Garcia Moreno (voc.)
- Materias:
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- Resumen
BiCMOS es una tecnología emergente que pretende unir las ventajas de las tecnologías CMOS y bipolares mediante la combinación de ambos tipos de dispositivos en un mismo substrato.
Para que una tecnología pueda alcanzar su madurez, es preciso el desarrollo de herramientas y metodologías que permitan el test de los diseños fabricados. Estas herramientas se fundamentan, en última instancia, en abstracciones de los defectos físicos que pueden darse en esta tecnología.
El objetivo de esta tesis consiste en analizar las consecuencias que los fallos físicos pueden provocar sobre el comportamiento de puertas BiCMOS. Para ello, no obstante, es necesario estudiar previamente el comportamiento de las puertas BiCMOS típicas y su optimización. Por tanto, esta tesis se divide en dos partes. En la primera parte se estudia el comportamiento dinámico y la optimización de la puerta BiCMOS standard que es base del resto de realizaciones. A continuación, en la segunda parte, se analizan las consecuencias que los fallos tienen sobre las puertas.
En el primer capítulo se realiza una breve introducción a la tecnología BiCMOS para seguidamente describir la estructura de las puertas BiCMOS más habituales. A continuación, se detalla un nuevo desarrollo analítico que permite obtener de una manera muy exacta el retardo de la puerta BiCMOS standard a partir de sus parámetros circuitales.
En el segundo capítulo, se estudia la optimización de puertas BiCMOS comparándose los resultados obtenidos con los casos CMOS. De los análisis realizados se obtiene una relación entre el área ocupada por los elementos bipolares de una puerta BiCMOS óptima y el retardo de ésta. Este resultado se emplea a continuación para comparar la ocupación de área en los casos CMOS y BiCMOS.
En el tercer capítulo se introduce la segunda parte de esta tesis. En este capítulo se describen los distintos mecanismos de fallo que pueden darse en tecn
