Modelado fisico de transistores MESFET y HEMT con aplicación a modelado de ruido

• Autores: Antonio Ramon Lázaro Guillén
• Directores de la Tesis: Lluis Pradell Cara (dir. tes.)
• Lectura: En la Universitat Politècnica de Catalunya (UPC) ( España ) en 1999
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Javier Barandiarán (presid.), Joan O'Callaghan Castellà (secret.), Tomás Fernández Ibáñez (voc.), José María Zamanillo Sainz de la Maza (voc.), Josep Calderer Cardona (voc.)
• Materias:
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología electrónica
      • Transistores
    • Tecnología de las telecomunicaciones
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• Resumen

  • Los transistores MESFET y HEMT son los transistores de bajo ruido por excelencia a frecuencias de microondas, especialmente los transistores HEMT. Se han adaptado sistemas de medidas de parámetros de ruido para medida directa en oblea. En los sistemas de medida de ruido en oblea, intervienen además del analizador de redes para medir los parámetros S del dispositivo (ganancia) se utilizan medidores de ruido (receptores). Generalmente los sistemas de medida de parámetros de ruido utilizan sintetizadores de impedancias o tuners, así como fuentes de ruido previamente calibradas como referencia. Los tuners generalmente son elementos costosos que limitan la banda de medida, y la precisión de la calibración fuente de ruido limita la precisión de las medidas. Estos dos factores justifican la utilización de modelos de ruido para extender los parámetros de ruido a otras bandas, y para mejorar las propias medidas.

    De acuerdo con el marco anterior los objetivos de la tesis son:

    1) Desarrollo de un simulador físico para la obtención de los parámetros de ruido de cualquier estructura MESFET o HEMT, debido a las limitaciones de los modelos físicos existentes en la biografía.

    2) Estudio y comprobación experimental de los modelos empíricos de ruido, debido a la falta de rigurosidad del tratamiento en la literatura existente.

    3) Debido a la necesidad de conocimiento del circuito equivalente del transistor en pequeña señal en los modelos empíricos de ruido, y el interés e importancia de este punto para el desarrollo de modelos implementables en simuladores CAD, así como debido a la falta de soluciones definitivas al problema en la literatura, la extracción el circuito equivalente es un subobjetivo importante de la tesis.

    4) Desarrollo de nuevas técnicas de medida de párametros de ruido para solucionar los problemas de las técnicas clásicas basadas en sintetizador de impedancias. Este objetivo incluye el estudio d