Propiedades electronicas de semiconductores. Superficies y heterouniones
- Autores: Plácida Rodríguez Hernández
- Directores de la Tesis: Alfonso Muñoz González (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad de La Laguna ( España ) en 1993
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: José Peraza Hernandez (presid.), José Breton Peña (secret.), Rodolfo Miranda Soriano (voc.), Víctor Velasco Rodríguez (voc.), Federico Soria Gallego (voc.)
- Materias:
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- Resumen
SE ESTUDIAN PROPIEDADES ELECTRONICAS DE SUPERFICIES Y DE HETEROUNIONES DE SEMICONDUCTORES III-V, EMPLEANDO METODOS SEMIEMPIRICOS Y DESDE PRIMEROS PRINCIPIOS, DETERMINANDOSE TAMBIEN PROPIEDADES ELASTICAS DE SEMICONDUCTORES.SE DEDUCE EL ORIGEN DE LOS DESPLAZAMIENTOS ADICIONALES EN LOS NIVELES DE ENERGIA PROFUNDOS DE ATOMOS SITUADOS EN LA SUPERFICIE Y UN MODELO PARA DETERMINARLOS. SE COMPRUEBA LA IMPORTANCIA DE LA AUTOCONSISTENCIA EN LA DETERMINACION DE LAS BANDAS DE SUPERFICIE (INP(110) Y SB/GAAS(110)). SE DEMUESTRA QUE SE PUEDE CONTROLAR LA DISCONTINUIDAD DE BANDA EN HETEROUNIONES NO POLARES (110), DEPOSITANDO FINAS CAPAS DE GE Y SI EN LA UNION. SE INCLUYE EN EL MODELO TEORICO LA EXISTENCIA DE DIFUSION DE LA INTRACAPA EN LA UNION POLAR (100) Y MOSTRAMOS QUE ESTE EFECTO ES ESENCIAL PARA EXPLICAR EL COMPORTAMIENTO EXPERIMENTAL. SE PREDICEN LOS MODULOS DE ELASTICIDAD DEL ALP DESDE PRIMEROS PRINCIPIOS.
