Durante la fabricacion de dispositivos electronicos de gran superficie y circuitos ulsi se utilizan reactores de radiofrecuencia para los procesos de deposito y gravado, respectivamente. Normalmente estos reactores estan equipados con tecnicas de medida de la potencia inyectada, la temperatura de los electrodos, la presion y el caudal del gas activo. Para controlar completamente el proceso es necesario mejorar las tecnicas de caracterizacion electrica, espectroscopica y termica de una descarga radiofrecuencia. En este trabajo, se ha mejorado la determinacion de la funcion distribucion de la energia de los electrones a partir del metodo de druyvesteyn (mediante los filtros savitzky-golay), basado en la segunda derivada de la curva i (v) obtenida con una sonda de langmuir compensada. La espectroscopia de emision optica nos ha permitido medir la densidad de estados metastables a partir del metodo de autoabsorcion de la intensidad de las lineas espectrales emitidas por el plasma. Finalmente, se ha determinado la temperatura del gas mediante una tecnologia de termopares.
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