EL SILICIO AMORFO HIDROGENADO ES UNA MATERIAL SEMICONDUCTOR SINTETICO, EN EL QUE EL HIDROGENO JUEGA UN PAPEL MUY IMPORTANTE CARA A LA DETERMINACION DE SUS PROPIEDADES, TANTO ELECTRONICAS COMO ESTRUCTURALES. PARA ESTUDIARLO SE HAN EMPLEADO DOS TECNICAS QUE SON LA ESPECTROSCOPIA DE TRANSMISION INFRARROJA (EIR) Y LA ESPECTROSCOPIA DE EFUSION TERMICA (EET). EN LINEAS GENERALES SE PUEDE DECIR QUE LA PRIMERA MIDE LA CANTIDAD DE HIDROGENO ENLAZADO MIENTRAS QUE LA SEGUNDA LO HACE CON EL HIDROGENO TOTAL. LA DIFERENCIA SE PUEDE ATRIBUIR EN PRIMERA APROXIMACION AL HIDROGENO MOLECULAR O INCORPORADO EN GRUPOS DEL TIPO SI-H-SI. LA DECONVOLUCION DE LOS ESPECTROS DE EIR Y DE EET PERMITE OBTENER RESPECTIVAMENTE EL LLAMADO FACTOR R DE MICROESTRUCTURA (RELACIONADO CON LAS PROPIEDADES ESTRUCTURALES Y CON LA DENSIDAD DEL MATERIAL) Y LAS PROPORCIONES DEL HIDROGENO QUE EFUNDEN A BAJA Y ALTA TEMPERATURA. SE HA ENCONTRADO UNA CORRELACION IMPORTANTE DE DIVERSOS PARAMETROS TECNOLOGICOS CON EL CONTENIDO DE HIDROGENO ENLAZADO Y CON EL PARAMETRO R, Y EN CIRCUNSTANCIAS ESPECIALES CON EL CONTENIDO DE HIDROGENO PARCIAL QUE EFUNDE A BAJA TEMPERATURA. LAS CONCLUSIONES DEL TRABAJO INDICAN QUE EL MECANISMO DE SALIDA DEL HIDROGENO DEL MATERIAL NO SE PUEDE DESCRIBIR MEDIANTE UN MECANISMO DIFUSIVO Y/O DESORCIVO, SIENDO PARCIALMENTE COMPATIBLE LOS RESULTADOS CON LOS DE UNA DIFUSION DISPERSIVA. ASIMISMO ESTOS INDICAN QUE NO EXISTE CORRELACION ENTRE EL CONTENIDO DE HIDROGENO MEDIDO POR EIR Y POR EET, DESCARTANDOSE LAS RELACIONES QUE SE HABIAN ESTABLECIDO ENTRE EL MODO DE ENLACE DEL HIDROGENO CON LA MATRIZ DE SILICIO Y LA TEMPERATURA DE EFUSION DE AQUEL.
POR ULTIMO LA TECNICA DE LA EIR APARECE COMO UNA HERRAMIENTA MUY PODEROSA PARA ANALIZAR LA MICROESTRUCTURA DEL MATERIAL.
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