Aportació a la modelació i test del defecte de ruptura de l'oxid de porta a circuits cmos de molt alt nivell d'integracio (vlsi)
- Autores: Jaume Agapit Segura Fuster
- Directores de la Tesis: Jorge Francisco Suñe Tarruella (dir. tes.)
- Lectura: En la Universitat Politècnica de Catalunya (UPC) ( España ) en 1993
- Idioma: catalán
- Tribunal Calificador de la Tesis: Joan Figueras Pamies (presid.), Luis Castañer Muñoz (secret.), Paulo Teixeira (voc.), Lina R. Morante (voc.), Luis A. Huertas (voc.)
- Materias:
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- Resumen
El trabajo de tesis doctoral de jaume a. Segura se centra en la caracterizacion detallada de defectos fisicos que pueden aparecer durante la fabricacion y uso de los circuitos integrados microelectronicos. Este es un tema clave ya que los requisitos idoneos de fiabilidad consistentes en alcanzar un porcentaje de defectos por debajo de 100 ppm (partes por millon), solo puede alcanzarse realizando una investigacion detallada de los mecanismos de fallo con una mayor probabilidad de aparicion y su comportamiento. La modelacion de este tipo de fallos no es una tarea trivial debido, esencialmente, al hecho de que el impacto que dichos defectos provocan sobre el circuito debe ser descrito a un nivel de abstraccion relativamente alto como el nivel logico. Teniendo en cuenta este hecho el trabajo de esta tesis doctoral captura las caracteristicas esenciales del fenomeno fisico, analizandolo a un nivel de abstraccion bajo. A partir de este conocimiento se modela el defecto de manera que los simuladores de circuitos convencionales puedan utilizarse para evaluar el comportamiento en fallo a nivel de circuito.
