Propiedades de transporte en superconductores electronicos tr 1.85 ce 0.15 cuo4 (tr= nd, sm y pr)
- Autores: M. Angels Crusellas Font
- Lectura: En la Universitat de Barcelona ( España ) en 1993
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Francisco Batallan Casas (presid.), Rafael Navarro Linares (secret.), Antoni Planes Vila (voc.), José Luis Vicent López (voc.), Xavier Obradors Berenguer (voc.)
- Materias:
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- Resumen
HEMOS ESTUDIADO ALGUNAS PROPIEDADES DE TRANSPORTE EN EL ESTADO NORMAL Y SUPERCONDUCTOR DE LOS MONOCRISTALES DOPADOS CON ELECTRONES TR2-XCEXCUO4 (TR= ND, SM Y PR). EN LA PARTE EXPERIMENTAL DEL TRABAJO, HEMOS DESARROLLADO UN METODO PARA PONER CONTACTOS ELECTRICOS DE BAJA RESISTENCIA Y ESTABLES EN EL TIEMPO.
DEL ESTUDIO DEL ESTADO MIXTO HALLAMOS: (1) HEMOS DESARROLLADO UNA METODOLOGIA QUE PERMITE OBTENER, A PARTIR DE LAS CARACTERISTICAS V(I) MEDIDAS EN FUNCION DE LA TEMPERATURA Y EL CAMPO MAGNETICO, LAS ENERGIAS DE ANCLAJE DE FLUJO Y SU DEPENDENCIA CON LA TEMPERATURA, CAMPO Y CORRIENTE. (2) HEMOS OBTENIDO UNA DEPENDENCIA NO LINEAL DE LA ENERGIA CON LA CORRIENTE, LO QUE INDICA EL CARACTER ELASTICO DEL MOVIMIENTO DE FLUJO. (3) HEMOS MOSTRADO LA IMPORTANCIA DE LAS FLUCTUACIONES EN LA PARTE ALTA DE LA TRANSICION RESISTIVA Y COMO SE VEN INCREMENTADAS POR EL CAMPO.
EN EL ESTADO NORMAL LAS RESISTIVIDADES EN EL PLANO Y A LO LARGO DEL EJE C, EXHIBEN UN COMPORTAMIENTO SEMICONDUCTOR A BAJAS TEMPERATURAS, QUE PODEMOS INTERPRETAR EN TERMINOS DE LOCALIZACION DEBIL BIDIMENSIONAL Y A ALTAS TEMPERATURAS, LA RESISTIVIDAD EXHIBE UN COMPORTAMIENTO METALICO Y UNA DEPENDENCIA CUADRATICA CON LA TEMPERATURA QUE PUEDE INTERPRETARSE EN TERMINOS DE UNA INTERACCION ELECTRON-MAGNON.
DE LAS MEDIDAS EFECTUADAS BAJA PRESION (P<2GPA) OBSERVAMOS: (1) LA DISMINUCION DE LAS RESISTIVIDADES (AB Y C) BAJO PRESION, QUE PODEMOS JUSTIFICAR CON LA MODIFICACION DEL ESPECTRO DE FONONES Y SIN INTRODUCIR NINGUN CAMBIO DE PORTADORES. (2) LA APLICACION DE PRESION HIDROSTATICA NO MODIFICA LA TEMPERATURA DE TRANSICION DE NINGUNO DE LOS CRISTALES (TR=ND, SM Y PR). EN LOS CRISTALES DEFECTUOSOS, LA PRESION INDUCE UN ENSANCHAMIENTO DE LA TRANSICION.
EL COMPORTAMIENTO CON LA TEMPERATURA DEL COEFICIENTE HALL Y EL CAMBIO DE SIGNO QUE OBSERVAMOS, PODEMOS DESCRIBIRLO MEDIANTE UN MODELO DE DOS BANDAS DE PORTADORES.
