Study of surface phenomena acting during ion beam oxidation of semiconductors and chemical etching of ultra-thin oxides
- Autores: Josep Lluís Alay
- Lectura: En la Universitat de Barcelona ( España ) en 1994
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Albert Cornet (presid.), Juan Jimenez (secret.), Francesc Salvat (voc.), Luisa González (voc.), Wilfried Vandervorst (voc.)
- Materias:
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- Resumen
UN ESTUDIO DETALLADO DE LAS TRANSICIONES DE LA ESTEQUIOMETRIA DE LA SUPERFICIE DURANTE Y TRAS LA ELIMINACION, ASI COMO DURANTE LA FORMACION DE OXIDOS DELGADOS HA SIDO LLEVADO A CABO MEDIANTE XPS. LA OXIDACION MEDIANTE HAZ IONICO DE MUESTRAS SEMICONDUCTORAS RESULTA SER UN FENOMENO FISICO EXTREMAMENTE COMPLEJO.
PARA EL CASO DE SILICIO, EL MECANISMO DE OXIDACION CONOCIDO COMO SUSTITUCION SECUENCIAL DE SUBOXIDOS, BASADO EN EL ANALISIS DEL PICO SI 2P, HA SIDO ESTABLECIDO PARA EXPLICAR EL CRECIMIENTO DEL OXIDO INDUCIDO, INDEPENDIENTEMENTE DE LA ENERGIA DE LOS IONES. A PARTIR DE UN ESTUDIO DETALLADO DE LA BANDA DE VALENCIA, LA SUBDANDA 3P-3P DEL SILICIO MUESTRA SER DECISIVA PARA CONSEGUIR UNA INTERPRETACION CORRECTA DE LA EMISION DE SI+ DURANTE ANALISIS SIMS. SE HA PROPUESTO UN MODELO ATOMICO PARA LA EMISION DE ESOS IONES DURANTE EL BOMBARDEO DE OXIGENO. EL MODELO SE BASA EN LA NEUTRALIZACION DE IONES EMITIDOS MEDIANTE EFECTO TUNEL RESONANTE DESDE LOS NIVELES ELECTRONICOS DE LAS BANDAS DE VALENCIA ALTERADAS POR EL BOMBARDEO (SUBBANDA SI 3P-3P) Y EN LA INDUCCION DE EMISION IONICA A PARTIR DE LA ROTURA DE EN LACES SI-O.
LA OXIDACION IONICA DE GAAS Y ALGAAS ESTA CONDICIONADA POR EL SPUTTERING PREFERENCIAL DE AS Y LA OXIDACION PREFERENTE DE AL. LA DIFUSION INDUCIDA POR RADIACION DE OXIGENO Y ALUMINIO EN LA CAPA MODIFICADA EXPLICA EL ESPESOR DE ESTAS CAPAS Y LA FORMACION DE OXIDO DE ALUMINIO EN LA SUPERFICIE DE LA MUESTRA BOMBARDEADA. UN PROGRAMA DE SIMULACION (CISRD) HA SIDO DESARROLLADO PARA DESCRIBIR LOS DISTINTOS MECANISMOS DE CRECIMIENTO PROPUESTOS EN ESTA TESIS.
