Contribución al desarrollo de técnicas de fabricación de diodos Schottley sobre arseniuro de galio
- Autores: Miguel López-Coronado
- Directores de la Tesis: Miguel Aguilar Fernández (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad Politécnica de Madrid ( España ) en 1983
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Elías Muñoz Merino (presid.), José Antonio Martín Pereda (voc.), Juan Piqueras (voc.), Carlos Dehesa Martínez (voc.)
- Materias:
- Texto completo no disponible (Saber más ...)
- Resumen
Se han desarrollado y evaluado varias tecnicas para la preparacion de diodos schottley sobre asba haciendo hincapie en aquellos que pueden utilizarse como mezcladores en ondas milimetricas. Se ha desarrollado construido y puesto a punto un equipo completo de crecimiento epitacial en fase vapor de asba por el metodo c/3as/ga/h2 habiendose medido velocidades de crecimiento que dependiendo de las condiciones del mismo van desde 4 a 35 km/hora. Se han optimizado tecnicas convencionales de fotolitografia para abrir ventanas de 2 5 nm de diametro. Se han efectuado depositos piroliticas de si02 y depositos metalicos mediante pulverizacion catodica + tratamiento termico de palodio y wolpario y mediante electrolisis por impulsos de oro y platino obteniendose barreras cercanas al ideal (n 1 03).
