Se propone una nueva técnica de análisis no-lineal que permite obtener la respuesta en régimen permanente de modelos no-lineales de transistores mesfet de microondas a una excitación periódica. Consiste en emplear el desarrollo en serie de fornier para plantear el problema de análisis en el dominio de la frecuencia y resolver el sistema de ecuaciones no-lineales resultante mediante un eficiente algoritmo. Permite manejar un elevado numero de armónicos y calcular la respuesta del dispositivo dentro de los limites de validez del modelo utilizado con condiciones arbitrarias de excitación y carga ademas se propone un nuevo modelo no-lineal de transistor mesfet y se describe como se pueden caracterizar los elementos del mismo a partir de medidas en régimen de pequeña señal (parámetros s) y en continua. Como aplicación se presenta el análisis de un doblador de frecuencia construido con un transistor mesfet. El excelente acuerdo observado entre los resultados experimentales y las predicciones teóricas confirman la validez tanto del modelo empleado como del análisis no-lineal efectuado.
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