Caracterización estructural, óptica y eléctrica de gas semiaislante pasivado: aplicación a transistores mesfets integrados

• Autores: Rachid Dkiouak
• Lectura: En la Universitat de Barcelona ( España ) en 1994
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Albert Cornet i Calveras (presid.), Alejandro Pérez Rodríguez (secret.), Jaume Esteve Tintó (voc.), German González Diaz (voc.), Josep Calderer Cardona (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Semiconductores
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología electrónica
      • Dispositivos semiconductores
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• Resumen

  • Se ha estudiado las modificaciones estructurales en la superficie del gaas si producidas por las aplicaciones de las diferentes etapas del procesos de pasivacion, mediante microscopia electronica de transmision, tem. Los resultados obtenidos han sido correlacionados con los datos obtenidos mediante la aplicacion de otras tecnicas tal como la espectroscopia de infrarrojos, ftir; la elipsometria, es; y la espectroscopia raman, rs. De ello se ha concluido que, en la metodologia propuesta, la capa de oxido nativo puede ser reducida pero no eliminada totalmente ya que despues del ciclo termico permanece del orden de una monocapa. Por otra parte, el bombardeo ionico de la superficie por parte de especimenes del plasma da lugar al dañado de la region superficial si bien la eliminacion de la capa de oxido es practicamente total. Se ha estudiado el comportamiento de las corrientes de fugas entre contactos planares localizados a distintas distancias en las superficies pasivadas. La practicamente total eliminacion de la capa de oxido nativo permite aumentar la tension umbral de las corrientes de fugas pero la generacion de dañado superficial por la agresion del tratamiento por plasma hace disminuir este aumento. De la misma manera se hizo un analisis de los transitorios de corriente isotermicos inducidos mediante excitacion optica, picts. Los resultados obtenidos han mostrado que los procesos de pasivacion modifican fuertemente las caracteristicas electricas de los centros profundos localizados en la region superficial del substrato asi como de los estados superficiales. Mientras que en las muestras con oxido nativo se han determinado la existencia de cuatro centros profundos, dos de ellos localizados en la mitad del gap, en las muestras sometidas al tratamiento de pasivacion solamente se han caracterizado dos niveles. Uno de ellos, con transitorios quasiexponenciales, esta directamente relacionado con los niveles localizados en la mi