Caracterizacion estructural por microscopia electronica de transmision de capas de arseniuro de galio epitaxiadas sobre sustratos de silicio

• Autores: Anna Maria Vilà Arbonés
• Lectura: En la Universitat de Barcelona ( España ) en 1995
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Joan Ramon Morante Lleonart (presid.), Pierre Ruterana (secret.), Alberto Romano Rodríguez (voc.), Luisa González Sotos (voc.), Rafael García Roja (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Electrónica
      • Microscopia electrónica
    • Física del estado sólido
      • Estructura cristalina
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• Resumen

  • EL OBJETIVO DE ESTE TRABAJO CONSISTE EN LA CARACTERIZACION ESTRUCTURAL DE LAS CAPAS DE ARSENIURO DE GALIO (GAAS) EPITAXIADAS SOBRE SUSTRATOS DE SILICIO (SI) DE CARA A UNA MAYOR COMPRENSION DE LOS PROCESOS DE NUCLEACION Y RELAJACION DESDE LOS PRIMEROS ESTADIOS DEL CRECIMIENTO, QUE PERMITA APORTAR UNA CONTRIBUCION A LA OPTIMIZACION DEL PROCESO DE LA HETEROEPITAXIA.EN EL CAPITULO I SE PRESENTA EL SISTEMA GAAS/SI: SUS CARACTERISTICAS, POTENCIALIDADES Y LOGROS, ASI COMO SUS PROBLEMAS.A CONTINUACION, SE DESCRIBE LA TECNICA UTILIZADA PARA LLEVAR A CABO ESTE ESTUDIO, LA MICROSCOPIA ELECTRONICA DE TRANSMISION EN SUS DOS VERTIENTES DE MICROSCOPIA CONVENCIONAL Y DE ALTA RESOLUCION, Y OTRAS TECNICAS AFINES NECESARIAS PARA LA CORRECTA INTERPRETACION DE LAS IMAGENES, A SABER LA SIMULACION DE LOS CONTRASTES Y LA ELASTICIDAD APLICADA A LA OBTENCION DE MODELOS ATOMICOS PARA LOS DEFECTOS.EL CAPITULO III SE CONSAGRA A LA CARACTERIZACION DE CAPAS EPITAXIADAS EN UNA VARIEDAD DE CONDICIONES, DE CARA A OPTIMIZAR LOS PARAMETROS Y CONCRETAR LOS MECANISMOS QUE INFLUYEN SOBRE LA CALIDAD DE LAS CAPAS.EN EL CAPITULO IV SE CARACTERIZAN A NIVEL ATOMICO LAS PRIMERAS ETAPAS DEL CRECIMIENTO DEL GAAS SOBRE SI, CENTRANDOSE EN EL MODO DE CRECIMIENTO Y ANALIZANDO LA INFLUENCIA DE LA BAJA TEMPERATURA DEL SUSTRATO O EL ESTADO DE SU SUPERFICIE PREVIO AL DEPOSITO.A PARTIR DE ESTAS OBSERVACIONES, SE PROCEDE, EN EL CAPITULO V, A LA DESCRIPCION MAS DETALLADA DE LOS MECANISMOS QUE TOMAN PARTE EN EL PROCESO DE RELAJACION DE LAS TENSIONES DESDE LAS PRIMERAS ETAPAS DEL CRECIMIENTO.

    CONCRETAMENTE, SE ESTUDIA LA MINIMIZACION DE LA ENERGIA POR UNA MORFOLOGIA ADECUADA, LA TRANSICION DEFORMACION ELASTICA-RELAJACION PLASTICA Y LA CRONOLOGIA DE APARICION DE LOS DIFERENTES TIPOS DE DEFECTOS; DANDO ORIGEN A LAS ESTRUCTURAS OBSERVADAS EN LAS CAPAS FINALES (CAPITULO VI).