Estudio sobre niveles profundos y degradación en diodos electroluminiscentes de p0 4 as0 6 ga

• Autores: Carlos Alberto López Barrio
• Directores de la Tesis: Elías Muñoz Merino (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Politécnica de Madrid ( España ) en 1977
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Elías Muñoz Merino (presid.), Tomas Rodríguez Rodriguez (secret.), W. Warzanskyj (voc.), José Antonio Martín Pereda (voc.), Antonio Luque López (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Propiedades ópticas
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología electrónica
      • Dispositivos semiconductores
• Texto completo no disponible (Saber más ...)
• Resumen

  • Se han puesto a punto las técnicas experimentales de caracterización de niveles nativos en diodos p0 4 as0 6 ga y estudio de la degradación de los mismos bajo condiciones forzadas el resultado de la investigación ha sido:

    1. Determinación de varios niveles profundos por excitación térmica con posibilidad de acoplamiento entre los mismos.

    2. Se dan datos de la velocidad de degradación estableciendo una correlación entre la disminución de la eficiencia cuántica externa la disminución del tiempo de vida y aumento de la corriente de recombinación.