Design and optimization of RF power ldmos transistors for base station applications

• Autores: Ignacio Cortes Mayol
• Directores de la Tesis: David Flores (dir. tes.), Lluis Pradell Cara (codir. tes.)
• Lectura: En la Universitat Politècnica de Catalunya (UPC) ( España ) en 2008
• Idioma: inglés
• Tribunal Calificador de la Tesis: José Millan (presid.), Ramon Alcubilla González (secret.), Peter Moens (voc.), Antonio Lazaro (voc.), Florin Udrea (voc.)
• Materias:
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología electrónica
      • Transistores
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• Resumen

  • INTRODUCCION- Este trabajo está enmarcado en el diseño e implementación de transistores LDMOS de potencia para aplicaciones de Radio Frecuencia (RF), en el cual se define y ajusta los procesos tecnológicos para la fabricación de transistores LDMOS de RF en la Sala Blanca del IMB-CNM. Dichos dispositivos, destinados a aplicaciones de estaciones base soportan voltajes de ruptura de hasta 100 V y se han diseñado sobre substratos Bulk y Thick SOI. MEMORIA- La realización del documento de Tesis incluye los siguientes aspectos: 1. Definición y ajuste del proceso tecnológico. 2.Diseño y fabricación de dispositivos LDMOS. 3. Análisis e investigación de las medias de RF. 4. Análisis de nuevas estructuras LDMOS para RF mediante simuladores de elementos finitos.

    El trabajo realizado se ha centrado en el estudio teórico de transistores LDMOS de potencia para aplicaciones de RF en tecnología Bulk y SOI, así como en la determinación de la influencia de los parámetros geométricos y tecnológicos en las características eléctricas de los transistores. En concreto se ha estudiado en detalle la respuesta en frecuencia, las capacidades parásitas, la capacidad en tensión, la degradación por portadores calientes y las figuras de mérito básicas en RF. Por otra parte, se han desarrollado y simulado los procesos de fabricación de estos transistores en las diferentes tecnologías. Se han fabricado transistores LDMOS en tecnología Bulk y Thick SOI con configuración de pads GSG (Ground Signal Ground) para poder realizar medidas con sondas estándar de RF y extraer los parámetros S en función de la polarización del transistor. Además, se han añadido transistores con pads más indicados para medición en DC.