Análisis teórico y experimental de los efectos de captura y escape de portadores en láseres de pozo cuántico
- Autores: Beatriz Romero Herrero
- Directores de la Tesis: Ignacio Esquivias Moscardó (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad Politécnica de Madrid ( España ) en 1998
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: José Antonio Martín Pereda (presid.), Pedro Menéndez-Valdés Alvarez (secret.), Jose Luis Danchez de Rosas Aldanero (voc.), Josef Rosenzweig (voc.), Luis Pesquera González (voc.)
- Materias:
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- Resumen
En esta memoria se presentan medidas experimentales de impedancia y respuesta en modulación en pequeña señal de láseres de semiconductor de pozo cuántico basados en GaAs. A partir de las medidas de impedancia por debajo de umbral se ha extraído información de parámetros tales como la resistencia dinámica diferencial del diodo, el tiempo efectivo de recombinación de portadores en el pozo, el tiempo de escape y/o el tiempo de captura de los portadores en los pozos cuánticos. Se han analizado diferentes muestras variando determinados parámetros estructurales tales como la composición de indio en el pozo, el nivel de dopado en la zona activa, las dimensiones de los dispositivos, etc., así como con el nivel de inyección de corriente y la temperatura.
Asimismo se ha desarrollado un modelo teórico simple para calcular el tiempo de escape de los portadores en este tipo de láseres. Este modelo usa estadística de Fermi-Dirac y tiene en cuenta fenómenos de segundo orden, tales como la renormalización de la banda prohibida y la curvatura de bandas. Este modelo se ha cotejado con otros modelos ya existentes (emisión termoiónica y teoría de interacción con fonones longitudinales-ópticos).
Finalmente se han comparado los resultados experimentales sobre el tiempo de escape obtenidos en las diferentes muestras con los resultados teóricos calculados con el modelo citado anteriormente.
