Contribución al estudio de defectos en capas epitaxiales de Gan. Aplicaciones a dispositivos optoelectronicos
- Autores: Fernando Jose Sanchez Sanz
- Directores de la Tesis: Enrique Calleja Pardo (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad Politécnica de Madrid ( España ) en 1999
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Elías Muñoz Merino (presid.), Fernando Calle Gómez (secret.), Martin Spaeth Johan (voc.), Francisco Javier Piqueras de Noriega (voc.)
- Materias:
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- Resumen
Esta tesis doctoral se ha dedicado al estudio y caracterización de capas epitaxiales de GaN. Este material es un semiconductor de GAP ancho (3,4 eV) que ha despertado un gran interés gracias a sus propiedades que posibilitan su aplicación inmediata a la fabricación de emisores en el azul y UV, detectores de UV y transistores de potencia. Se han estudiado capas crecidas sobre sustratos de zafiro y silicio (111) por dos técnicas diferentes, MBE y MOVPE.
Las técnicas empleadas han sido fotoluminiscencia, efecto HALL y fotocapacidad. Mediante ellas se han caracterizado defectos en material no dopado y ha sido posible la determinación de la energía de activación de varios dopantes como el Si (donante), el Mg y el Be (aceptores). Finalmente se ha realizado un estudio de la influencia de estos defectos y dopantes sobre las prestaciones de dos dispositivos, un detector de UV Fotoconductor y un emisor de radiación azul (diodo electroluminiscente).
