Resumen de Contribución a la mejora de células solares de silicio
La tecnología habitual de fabricación de células solares en el Instituto de Energia Solar está basada en la formación simultánea de un emisor frontal de fósforo y una región fuertemente dopada con aluminio en la cara posterior. El objetivo de este trabajo es la mejora del rendimiento de conversión fotovoltaica de las células.
Mediante el análisis teórico riguroso se ha identificado la recombinación en la región posterior fuertemente dopada como el mecanismo que limita la eficiencia. Para superar esta limitación se proponen diversas estructuras en las que la difusión de aluminio en la cara posterior se realiza de forma localizada. Los potenciales beneficios de estructuras de este tipo son apreciables cuando se mantiene elevado el tiempo de vida en base de los portadores minoritarios de corriente y una velocidad de recombinación en la interfase óxido/semiconductor pequeña. En este sentido se han desarrollado esquemas de gettering de aluminio en puntos pequeños y relativamente cercanos y oxidaciones de silicio con adición intencionada de TCA. La integración de estas tecnologías en el proceso de fabricación supone una mejora en la respuesta de los dispositivos en la región infrarroja del espectro así como un aumento del voltaje de circuito abierto en tomo a 20mV.
