Modelado físico de dispositivos basados en heteroestructuras para aplicaciones de radiofrecuencia
- Autores: Jesús Grajal de la Fuente
- Directores de la Tesis: Javier Gismero Menoyo (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad Politécnica de Madrid ( España ) en 1998
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Félix Pérez Martínez (presid.), José Luis Sánchez de Rojas Aldavero (secret.), Lluís Prat Viñas (voc.), Carlos Pedro Jose (voc.), Carlos Camacho Peñalosa (voc.)
- Programa de doctorado: DESCONOCIDO
- Materias:
- Texto completo no disponible (Saber más ...)
- Resumen
Esta Tesis profundiza en la problemática propia de las heteroestructuras y del transporte a través de interfases mediante simulaciones físicos. Se han estudiado tanto heteroestructuras metal-semiconductor, diodos Schottky, como heteroestructuras semiconductor-semiconductor, transistores bipolares basados en heteroestructuras (HBTs), utilizadas en aplicaciones de radiofrecuencia. El punto de partida fue la teoría clásica de arrastre y difusión, complementada con modelos adecuados para el transporte en las interfases. La comprensión de las limitaciones de esta aproximación ha servido para ampliar este modelo, de modo que incluya aspectos tan importantes como generación de calor o transporte no estacionario.
También se ha avanzado por la vía de adaptarse a la geometría de los dispositivos a través de un simulador bidimensional para HBTs. Por último, se ha integrado un simulador unidimensional para diodos Schottky en un simulador circuital basado en la técnica de balance armónico. Se pretende con ello desarrollar una herramienta capaz de evitar el uso de circuitos equivalentes y que permita el diseño conjunto del dispositivo y del entorno circuital.
