En la presente tesis se ha propuesto un marco teórico general para estudiar de manera unificada las propiedades de transporte de las interfases semiconductoras así como las fluctuaciones generadas en las mismas.
A fin de verificar algunas de las predicciones que se derivan de la teoría presentada, se han estudiado algunas aplicaciones concretas que invulcran la presencia de uniones metal-semiconductor.
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