Contribución a la caracterización de semiconductores por el método de corriente inducida por haz de electrones

• Autores: Lluís Closas Torrente
• Directores de la Tesis: Luis Castañer Muñoz (dir. tes.)
• Lectura: En la Universitat Politècnica de Catalunya (UPC) ( España ) en 1983
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Josep Codina Vidal (presid.), Francesc Serra Mestres (voc.), Josep M. Tura Soteras (voc.), Joan Parellada Sabata (voc.)
• Calificación: Desconocido
• Materias:
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología electrónica
      • Dispositivos semiconductores
• Texto completo no disponible (Saber más ...)
• Resumen

  • Es un estudio de una zona semiconductura sometida a bombardeo electroncio por un haz electrónico de un microscopio electrónico de barido para posteriormente aplicarlos a la medida de la longitud de difusión y velocidad de recombinación superficial. Dicho modelo se ha desarrollado para el caso de dopado constante y de pado variable