Resumen de Síntesis por implantación iónica de nanopartículas para dispositivos optoelectrónicos. Caracterización estructural y estudio de los mecanismos de emisión
Recientemente, es estudio de estructuras nanométricas semiconductoras ha experimentado un gran crecimiento. El gran interés que surge se basa fundamentalmente en la posibilidad de desarrollar dispositivos optoelectrónicos basados en la tecnología de Si. Dado el caracter relativamente estrecho e indirecto de la banda prohibida del Si, su aplicación a dispositivos optoelectrónicos es muy limitada. No obstante, desde el descubrimiento de la intensa luminiscencia del Si poroso y de las nanopartículas de Si crecidas en matrices amorfas se ha abierto la posibilidad de la realización de dispositivos electroluminiscentes basados en este tipo de estructuras.
En 1990 se descubre la emisión de luz en el espectro visible por parte del silicio poroso, silicio que ha sufrido un ataque electroquímico en una solución de HF. La realización de este ataque controlado hace que se formen pequeños agregados nanométricos, cosa que produce una abertura del gap y favorece las recombinaciones radiativas. Posteriormente se ha sintetizado nanocristales de Si en Si02 mediante técnicas como la implantación iónica.La intensa emisión de luz proveniente de nanocristales de Si ha sido fuente de numerosos estuidos e investigaciones. Como contrapunto a los materiales porosos, los materiales embebidos en matrices amorfas presentan importantes ventajas en determinadas aplicaciones, sobre todo en las electrónicas y optoelectrónicas. Las estructuras embebidas en matrices dielectricas se caracterizan por una gran estabilidad y robustez, lo que contrasta con los problemas de pasivación y fragibilidad mecánica de los materiales porosos.
