Caracterización de capas delgadas de silicio obtenidas mediante evaporación con haz de electrones

• Autores: Ignacio Esquivias Moscardó
• Directores de la Tesis: Tomas Rodríguez Rodriguez (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Politécnica de Madrid ( España ) en 1984
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Antonio Luque López (presid.), Fernando Rueda Sánchez (voc.), Elías Muñoz Merino (voc.), Carlos Dehesa Martínez (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Semiconductores
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• Resumen

  • Se presenta el desarrollo de un método de obtención de capas delgadas de silicio mediante evaporación con haz de electrones la caracterización del material obtenido en cuanto a su estructura morfológica y cristalina propiedades ópticas y eléctricas y la fabricación y medida de diversos dispositivos realizados con este material. Los resultados indican que la estructura morfológica es de tipo microcolumnar siendo el material amorfo o policristalino según la temperatura de deposición sea inferior o superior a 400 C respectivamente. Se propone un modelo de mezcla de fases amorfa y cristalina que explica satisfactoriamente los resultados obtenidos en cuanto a propiedades ópticas eléctricas y características de los dispositivos.