Resumen de Reorganización atómica y configuraciones espontáneas de baja dimensionalidad en heteroestructuras semiconductores iii-v
El objetivo de la tesis es la utilización de los procesos atómicos que ocurren durante el crecimiento epitaxial, para la fabricación de estructuras autoorganizadas de dimensionalidad reducida, así como la caracterización de la morfología de tales estructuras y su correlación con las propiedades ópticas y eléctricas.
La tesis se divide, principalmente, en cuatro secciones:
* Caracterización mediante TEM de los defectos cristalinos de capas de InSb depositadas sobre InP por ALMBE, y determinación de los efectos de la introducción de capas intermedias crecidas por MBE. Correlación con medidas de movilidad Hall.
* Caracterización mediante HRTEM de pozos acuánticos de GaAs depositados mediante ALMBE en una matriz de GaAs y cuantificación de la interdifusión de los átomos de As y P en las interficies del pozo acuático. Realización de un programa de medida de las distorsiones atómicas.
* Análisis mediante TEM y AFM de los fenómenos de descomposición e inestabilidad superficial en capas de InGaAs en InAlAs depositadas mediante MBE sobre InP. Determinación de la influencia de los parámetros tecnológicos (temperatura de crecimiento, desadaptación, desorientación y espesor de las capas) sobre los fenómenos de descomposición e inestabilidad. Correlación de los resultados obtenidos con las propiedades eléctricas de estructuras HEMT.
* Caracterización mediante TEM y AFM de la morfología de puntos cuánticos de InSb depositados mediante ALMBE sobre InP. Determinación del modo de crecimiento, punto de nucleación y coalescencia, tamaño, forma y facetado, estabilidad y estado de tensiones. Relación con resultados obtenidos previamente mediante otras técnicas (espectroscopía Raman, fotoluminiscencia y fotoreflectanica) que no han podido ser explicados.
