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Resumen de Estructura electrónica y propiedades de defectos puntuales en óxidos binarios y ternarios

Javier Carrasco Rodríguez

  • Las vacunas de oxígeno en óxidos metálicos determinan una parte importante de la química y física de estos materiales. A partir de distintos métodos ab initio de la química cuántica se han estudiado las propiedades de estos defectos puntuales en toda una serie de óxidos de diferente complejidad (MgO, CaO, SrO, BaO, alfat-Al2O3, SrTiO3 y ZnO). Se ha investigado fundamentalmente la energía de formación de vacante, la energía de interacción entre vacantes, la caracterización espectroscopia (Absorción y luminescencia ópticas) y las correspondientes barreras de difusión, racionalizando los resultados obtenidos en términos del carácter iónico o cavalente del óxido en cuestión. Se ha prestado un especial interés al análisis del potencial electrostático, o de Madelung, y a la relajación atómica alrededor del defecto. Se ha observado que el potencial de Madelung controla las propiedades de las vacantes de oxigeno en los óxidos con un elevado carácter iónico.

    Se ha considerado además el estudio de sistemas compuestos, tratando de racionalizar novedosos datos experimentales de interés tecnológico. Para el caso de películas ultradelgadas (2-3 capas atómicas) de MgO soportadas sobre Ag(001), la presencia exclusiva de vacantes neutras de oxígeno en los escalones de las terrazas del óxido se ha justificado en base a las energías de difusión calculadas, ya que a pesar de que termodinámicamente la formaicónd e vacantes esta favorecida en al interfiere metal-óxido, la consideración de términos cinéticos revele a una migración preferencial de estos defectos a través de la superficie del óxido y en particular hacia los escalones de terraza. Se ha encontrado, por tanto, un modelo plausible capaz de justificar las observaciones experimentales.

    Así mismo, se ha estudiado la interacción del CO con átomos de Au absorbidos sobre Mg(001); la inusual frecuencia de vibración del CO observada experimentalmente se justifica en base


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