Implantacion ionica en silicio: simulacion de procesos de amorfizacion y recristalizacion
- Autores: María J. Caturla Terol
- Directores de la Tesis: Tomás Díaz de la Rubia (dir. tes.)
- Lectura: En la Universitat de València ( España ) en 1996
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Albert Gras Martí (presid.), Alfredo Segura García del Río (secret.), José Manuel Perlado Martín (voc.), Isabel Abril Sánchez (voc.), Jose Emiliano Rubio Garcia (voc.)
- Materias:
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- Resumen
EL OBJETIVO FUNDAMENTAL DE ESTA TESIS ES EL ESTUDIO TEORICO, A NIVEL MICROSCOPICO, DEL DAÑO PRODUCIDO EN UN SEMICONDUCTOR DEBIDO A LA IRRADIACION CON IONES DE BAJA ENERGIA. SE HA ESTUDIADO LA AMORFIZACION DEL SILICIO DEBIDA AL BOMBARDEO IONICO, ASI COMO LA RECRISTALIZACION DEL DAÑO PRODUCIDO, UTILIZANDO TECNICAS DE SIMULACION POR ORDENADOR COMO DINAMICA MOLECULAR Y METODOS MONTE CARLO.
LA PRINCIPAL APLICACION DE ESTOS ESTUDIOS ESTA EN LA TECNOLOGIA DE DOPADO DE SEMICONDUCTORES. EN ESTE TRABAJO DEMOSTRAMOS LA DIFERENTE MORFOLOGIA DEL DAÑO PRODUCIDO POR IONES LIGEROS Y PESADOS AL IRRADIAR SILICIO. IONES PESADOS PRODUCEN ZONAS AMORFAS EN LA RED, MIENTRAS QUE IONES LIGEROS FORMAN PEQUEÑOS GRUPOS DE DEFECTOS. HEMOS ESTUDIADO EL PROCESO DE RECRISTALIZACION DE LAS ZONAS AMORFAS Y DERIVADO CONSECUENCIAS PARA LA AMORFIZACION COMPLETA DEL MATERIAL. TAMBIEN SIMULAMOS LA RECRISTALIZACION DE UNA INTERFASE PLANA AMORFOCRISTAL INDUCIDA POR IONES DE BAJA ENERGIA. PARA PODER ESTUDIAR FENOMENOS QUE SUCEDEN A TIEMPOS LARGOS, DEL ORDEN DEL SEGUNDO O MINUTOS, HEMOS ACOPLADO DOS METODOS DE SIMULACION: DINAMICA MOLECULAR Y SIMULACION DE DIFUSION DE DEFECTOS POR MONTE CARLO.
