Fotoprocesamiento ultravioleta de capas finas amorfas de oxido de silicio

• Autores: Eduardo García Parada
• Directores de la Tesis: Betty Mireya León Fong (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidade de Vigo ( España ) en 1996
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Mariano Pérez-Martínez y Pérez-Amor (presid.), José María González Calbet (secret.), Jean Flicstein (voc.), Elías Muñoz Merino (voc.), Tamas Szorenyi (voc.)
• Materias:
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología electrónica
      • Dispositivos fotoeléctricos
    • Tecnología de materiales
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• Resumen

  • Este trabajo esta dedicado al estudio y desarrollo de procesos de baja temperatura inducidos mediante fotones ultravioleta para el deposito y para tratamientos post-deposito de capas finas amorfas de oxidos de silicio sobre semiconductores.Se presenta un estudio exhaustivo de las capas depositadas y tratadas. El alto control del proceso de deposito quimico fotoinducido a partir de fase vapor (foto-uv-cvd) permite el analisis de aspectos concretos como las formas de incorporacion de impurezas a las capas (especialmente hidrogeno), los cambios estructurales que se producen o un detallado analisis del proceso de envejecimiento de las capas. Por otro lado, se presenta el proceso de reconocido uv con unha novedosa lampara excimera de descarga silenciosa que emite fotones a una longitud de onda 193 nm. Este proceso se muestra altamente efectivo a temperatura ambiente y sin producir daños en los dispositivos para inducir fotoliticamente procesos como la pasivacion, reoxidacion y relajacion de tension en las capas de oxido de silicio, con lo que se consigue una adecuacion a baja temperatura para su utilizacion en aplicaciones tecnologicas.