The variable angle model a novel approach thermal characterisation of semiconductor devices

• Autores: Francesc Masana Nadal
• Directores de la Tesis: Josep Calderer Cardona (dir. tes.)
• Lectura: En la Universitat Politècnica de Catalunya (UPC) ( España ) en 2002
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Luis Castañer Muñoz (presid.), Josep Altet Sanahujes (secret.), José Millán Gómez (voc.), Andrés Napieralski (voc.), Gilbert De Mey (voc.)
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• Resumen

  • El objetivo de este trabajo es la construcción de un modelo térmico, tanto estático como dinámico, pensado fundamentalmente para su aplicación a los dispositivos semiconductores encapsulados.

    El modelo se basa en el concepto de resistencia térmica y de ángulo de dispersión del flujo de calor, haciendo este último variable con las dimensiones del sistema y sus condiciones de contorno, con lo que se consigue no solo una mejor aproximación cuantitativa sino también que el modelo siga siendo válido para cualesquiera dimensiones y condiciones de contorno, así como para sustratos multicapa, condición por otra parte imprescindible para el correcto análisis de los encapsulados habituales, especialmente en el ámbito de la electrónica de potencia.