Resumen de Silicon surface passivation by plasma enhanced chemical vapor deposited amorphous silicon carbide films
Esta tesis se centra en el estudio sistemático de las propiedades pasivadoras de capas de silicio-carbono amorfo (a-SiCx:H) depositado por PECVD demostrando la posibilidad de introducir este esquema de pasivación en la superficie posterior de una célula solar.
La pasivación superficial se caracteriza por una velocidad de recombinación efectiva, Seff. Sin embargo, la magnitud que se puede medir es el tiempo de vida efectivo de los portadores, teff, que tiene en cuenta todos los mecanismos de recombinación presentes en la oblea. En concreto se han medido las curvas teff vs. Dn y se han ajustado mediante un modelo teórico para determinar los parámetros de recombinación de la superficie que son: las velocidades fundamentales de recombinación de electrones y huecos, Sn0 y Sp0; y la carga fija en el interfaz, Qf.
El núcleo central de esta tesis se basa en el estudio de la pasivación de la superficie de silicio de 3.3 W·cm tipo p mediante capas intrínsecas de a-SiCx:H. Se ha medido sistemáticamente la dependencia de Seff con la temperatura de depósito (Tdep), la presión total en la cámara durante el depósito (Ptot) y el ratio de flujos de CH4 y SiH4 (Y). En este último estudio se han introducido también obleas de 1.4 W·cm tipo n.
Respecto a la dependencia de Seff con Tdep, se ha encontrado que cuanto mayor es la temperatura de depósito de las capas menor es Seff. El mejor resultado es Seffmenor que 36 cm·s-1 con Tdep= 400 ºC. Esta pasivación está basada en un aumento de Qf con Tdep. Este aumento se ha correlado con la disminución de enlaces Si-H en las capas indicando que enlaces sueltos de Si pueden ser el origen de Qf.
La dependencia de Seff con Y es muy similar para los dos substratos estudiados.
Sin embargo, los ajustes de las curvas teff vs. Dn revelan un signo diferente para Qf en función del tipo de silicio utilizado. En ambos casos, la superficie se ve invertida por dicha carga. Este resultado indica q
