Ionización y excitación disociativas producidas por impacto electrónico sobre fluorometanos: (cf4, chf3, ch2f2 y ch3 f)
- Autores: Inmaculada Torres Novalbos
- Directores de la Tesis: Fernando Castaño Almendral (dir. tes.), Roberto Martínez Pérez de Mendiola (codir. tes.)
- Lectura: En la Universidad del País Vasco - Euskal Herriko Unibertsitatea ( España ) en 2000
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Francisco Tomás Vert (presid.), Maria Nieves Sanchez Rayo (secret.), Manuel Yáñez Montero (voc.), José Campos Gutiérrez (voc.), Jaime de Andres Llopis (voc.)
- Materias:
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- Resumen
El estudio de los procesos colisionales en los que intervienen halometanos es de creciente actividad y constituye un formidable desafío en la investigación tanto téorica como experimental ya que la importancia de los plasmas de baja temepratura queda patente en sus mútliples aplicaciones; alumbrado de alto rendimiento, grabado de semiconductores en procesadores y circuitos integrados en elelctrónica, esterilización de material médico y alimentos, tratamiento de gases contaminantes y potabilización de agua, etc.
El estudio llevado a cabo aporta información sobre las características del plasma generado por bombardeo electrónico de media y alta energía fluorometanos (CF1, CHF3, CH2, F2 y CH3F). En una primera parte se centra el estudio en los fragmentos iónicos. La técnica empleada, EI-TOF-MS, permiten , además de la determinación de SEI parciales, la obtención de otros parámetros relevantes, como las DEC de los fragmentos iónicos y sus umbrales de aparición, que, junto con cálculos termodinámicos, forman las bases para la identificación de los caminos de reacción. El estudio sobre la ionización de fluorometanos se completa con el cálculo teórico de secciones eficaces de ionización totales para todos los gases utilizando tanto métodos ab-inito (Deutsch-Märk, Kim-BEB y Khare-BEB) como semi-empíricos (regla de actvidad modificada y método de polarizabilidad).
En un segundo apartado se analiza la emisión de los fragmentos excitados, esencialmente átomos de flúor, en la región espectral de 500-900 nm. Se ha demostrado que las especies activas en el grabado de semiconductores de silicio son átamos de halógenos exctiados en ciertos niveles. El conocimiento de las energías implicadas en los plasmas grabado y el rendimiento de producción de las especies (factores estrechamente relacionados con la sección eficaz de emisión) son cruciales para el modelado de plasmas. El estudio de la dependencia de la secci
