SE HA LLEVADO ACABO UN ESTUDIO SOBRE LOS DIFERENTES FENOMENOS INDIVIDUALES QUE TOMAN PARTE EN EL PROCESO DE DEPOSITO DENOMINADO PULVERIZACION DE RADIO FRECUENCIA CONFECCIONANDO UN MODELO DE COMPORTAMIENTO PARA CADA UNO DE ELLOS CON EL FIN DE PODER PREDECIR RESULTADOS CUANTITATIVOS. EL RESULTADO ES LA POSIBILIDAD DE SIMULAR VELOCIDADES DE CRECIMIENTO EN FUNCION DE LA POSICION EN EL SUSTRATO Y DE LAS CONDICIONES DE POTENCIA TENSION Y PRESION PARA UNA CONFIGURACION DIODO PREFIJADA DE ANTEMANO. COMO CASO PARTICULAR SE COMPARARON VALORES DE SIMULACION CON LOS OBTENIDOS EXPERIMENTALMENTE PARA UN BLANCO DE SULFURO DE CADMIO.
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