SE REALIZA UN ANALISIS DE LAS DISTINTAS CONTRIBUCIONES A LA RESISTIVIDAD ELECTRICA EN VIDRIOS CO-SI-B- SE OBSERVA UNA CONTRIBUCION ESTRUCTURAL EXPLICADA SEGUN EL MODELO DE DIFRACCION Y UNA CONTRIBUCION MAGNETICA DE DISPERSION ELECTRON-MAGNON A BAJAS TEMPERATURAS (HASTA O G TC) A PARTIR DE ESA TEMPERATURA HASTA TC LA RESISTIVIDAD MAGNETICA SE EXPLICA EN UNA APROXIMACION DE CAMPO MEDIO.
TAMBIEN SE ANALIZA EL ORIGEN Y MOVIMIENTO DE LOS MINIMOS DE LA RESISTIVIDAD.
LAS MEDIDAS DE IMANACION EN ESTE SISTEMA MUESTRAN UN CIERTO CARACTER ITINERANTE EN ESTOS COMPUESTOS DE CO.
LOS CAMBIOS ESTRUCTURALES SON ANALIZADOS A TRAVES DEL ANALISIS DEL PROCESO DE CRISTALIZACION: ETAPAS Y FASES, DE LOS EFECTOS DE LOS TRATAMIENTOS TERMICOS Y LA DISPOSICION ATOMICA A TRAVES DEL CALCULO DE FUNCIONES RADIALES G(R).
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