Grabado seco de GaAs: influencia del bombardeo iónico

• Autores: José Moisés Villalvilla Soria
• Directores de la Tesis: José Antonio Vallés Abarca (dir. tes.)
• Lectura: En la Universitat d'Alacant / Universidad de Alicante ( España ) en 1992
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Ángel Linares Solano (presid.), Celestino Santos García (secret.), Miguel Yus Astiz (voc.), Dolores Golmayo (voc.), Carlos Domínguez (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Química física
      • Química del estado sólido
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología electrónica
      • Dispositivos semiconductores
• Enlaces
  • Tesis en acceso abierto en: RUA
• Resumen

  • En esta tesis se presenta un estudio del efecto del bombardeo iónico sobre el grabado seco de GaAs con haces iónicos anchos procedentes de descargas de mezcla de gases CH4/H2 utilizando la técnica de grabado por haz iónico reactivo (RIBE). Se realiza un estudio de la física del sistema grabador por haz de iones disponible en el laboratorio, describiendo su instrumentación y operación, encontrándose unos valores experimentales de intensidad del haz comprendidos entre 5 y 60 ma con una densidad de corriente en el centro del haz entre 0.05 y 1.8 Ma/Cm2. Se muestran los resultados experimentales del grabado de gaas, tanto para el caso de trabajar con un gas inerte, ar (rendimiento de grabado= 1900 a/min/ma/cm2), como para una mezcla de gases reactivos, ch4/h2, encontrándose en este ultimo caso 3 comportamientos diferentes: bien existencia de un grabado (ritmo = 100 a/min), bien existencia de un deposito carbonoso. Se propone un modelo sencillo para explicar el mecanismo de grabado de GaAs por un haz de iones de CH4/H2 basado en la formación de un film superficial sobre el blanco y que este al ser bombardeado potenciara la reacción química interficial entre film y sustrato. Por ultimo, se presenta un resumen y las principales conclusiones de esta tesis, junto con su proyección futura.