Contribución al modelado de dispositivos y a la extracción de parámetros para amplificadores clase e

• Autores: Pilar Molina Gaudó
• Directores de la Tesis: Arturo Mediano Heredia (dir. tes.), Jesús Navarro Artigas (codir. tes.)
• Lectura: En la Universidad de Zaragoza ( España ) en 2004
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Manuel Sierra Perez (presid.), José M. Burdío (secret.), Armando Roy Yarza (voc.), Pere Palà Schönwälder (voc.), Alberto Poveda (voc.)
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• Resumen

  • En la literatura actual se ha detectado una falta de un adecuado modelo no lineal para poder determinar con precisión las implicaciones que el transistor tiene en amplificadores clase E a frecuencias en las que toda la capacidad en paralelo con el dispositivo está siendo aportada por el propio transistor. Esta tesis presenta un método de caracterización sencillo para transistores en conmutación y para frecuencias de RF.

    El método propuesto está basado en una topología de clase E simple, que contiene únicamente un sola inductancia y una capacidad. En esta tesis se presenta por primera vez una análisis matemático exacto de este circuito y se estudia de forma detallada su comportamiento. Este clase E simple, que podría ser utilizado directamente como amplificador, se aplica al modelado de dispositivos trabajando en tales condiciones clase E. El puerto de salida del dispositivo se modela por medio de una estructura bastante simple, que sin embargo incluye las no linealidades de la capacidad de salida así como las de la resistencia de pérdidas en serie con ésta. No obstante, continua siendo lo bastante simple como para poder ser incluido en el análisis de estructuras clase E más complejas. Se propone un procedimiento completo de extracción de parámetros para obtener los valores de los diferentes elementos a partir de medidas o simulaciones. El circuito de test es muy sencillo y está especialmente indicado para la extracción de datos para aplicaciones en clase E. Se incluye una caracterización completa de un dispositivo, en un amplio rango de potencias y frecuencias. Se presenta además una método alternativo de medidas rápidas a una sola frecuencia, que permiten, de forma sencilla, determinar si un transistor puede ser utilizado, de manera práctica, en una aplicación concreta. Además, los resultados obtenidos en la práctica se comparan con los que se obtienen por medio de simulaciones.

    El método de car