Resumen de Nuevos materiales ópticos basados en cristales líquidos esmécticos C quirales: síntesis, caracterización y evaluación de sus propiedades
El trabajo realizado en esta Memoria se ha centrado en la aplicación de la técnica de la fotopolimerización in-situ para la obtención de dos tipos de materiales de alto peso molecular, con posibles aplicaciones en displays en base a sus a priori interesantes propiedades electroópticas:
a) Materiales de alto peso molecular antiferroeléctricos, a partir de mezclas fotopolimerizables que presenten la mesofase SmCA*. Los materiales preparados han sido geles.
b) Materiales de alto peso molecular para óptica no lineal, a partir de mezclas fotopolimerizables que presenten la mesofase SmC*. Los materiales preparados han sido polímeros de cadena lateral, copolímeros reticulados, redes anisótropas y geles de alta reticulación.
En ambos casos se han optimizado las condiciones de fotopolimerización.
Se ha realizado la caracterización térmica, estructural y óptica de los materiales preparados utilizando diversas técnicas: calorímetría de barrido diferencial, microscopía óptica, estudiso de defracción de rayos X, espectroscopía dieléctrica, estudios electroópticos, generación del segundo armónico y efecto electroóptico entre otros.
Las principales conclusiones obtenidas en esta Memoria son las siguientes:
a) La fotopolimerización in-situ de materiales en mesofases esmécticas C quirales permite la preparación de derivados de alto peso molecular con propiedades ópticas lineales y no lineales.
b) Dichas propiedades pueden ser moduladas en función de la estructura del material: tipo, y en su caso, naturaleza y proporción del agente reticulante.
c) Los geles antiferroeléctricos preparados se muestran como materiales más adecuados para la obtención de escalas de grises que los materiales de bajo peso molecular de partida.
d) Los polímeros de cadena lateral, copolímeros reticulados y redes anisótropas preparados exhiben un orden no centrosimétrico estable a temperatura ambiente y en ausenc
