ESTE TRABAJO TIENE COMO OBJETIVO FUNDAMENTAL EL DESARROLLO DE METODOS DE CARACTERIZACION DE LAS PROPIEDADES ESPECTRALES DE LOS LASERES DE SEMICONDUCTOR MAS INTERESANTES PARA LAS APLICACIONES EN COMUNICACION COTERENTES, EN CONCRETO LAS CARACTERISTICAS DE MODULACION EN FRECUENCIA Y LA ANCHURA ESPECTRAL MONOMODO. PARA AQUELLAS SE ESTA DESARROLLADO UN NUEVO METODO DE MEDIDA, BASADO EN UN EFECTO DEBIDO A LA PRESENCIA DE UNA CAVIDAD EXTERNA PASIVA. TAMBIEN SE HA DESARROLLADO UN MODELO TEORICO CAPAZ DE DESCRIBIR ESTE EFECTO.
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