Estudio por espectroscopia de rayos x de la reactividad interfacial de si con la superficie de asga oxidada: formación de la intercara sio2/gaas
- Autores: María Teresa Cuberes Montserrat
- Directores de la Tesis: José Luis Sacedón Adelantado (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad Complutense de Madrid ( España ) en 1991
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Francisco Javier Piqueras de Noriega (presid.), Maria Eloisa Lopez Perez (secret.), Mercedes Fernández Rodríguez (voc.), Enrique Calleja Pardo (voc.)
- Materias:
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- Resumen
EN EL TRABAJO DE TESIS SE ABORDA EL ESTUDIO DE LA FORMACION DE DISTINTAS INTERCARAS DE OXIDOS SOBRE LA SUPERFICIE DE ASGA(100). SE CARACTERIZA CUANTITATIVAMENTE EL CRECIMIENTO DE AS2O3 MEDIANTE LA TECNICA ESO (ELECTRON STIMULATED OXIDATION), CON UN HAZ ELECTRONICO DE 0.6 MA CM-2 Y 150 EV DE ENERGIA. SE DETERMINAN LAS REACCIONES INTERFACIALES DURANTE LA REDUCCION TERMICA DEL AS2O3 A DISTINTAS TEMPERATURAS (300 GRADOS C <=T<= 450 GRADOS C).
EL ESTUDIO DEL ESPECTRO DE O(KW) PERMITE LA DISTINCION DE SEÑALES CORRESPONDIENTES A ENLACES AS-O Y GA-O, NO RESUELTAS EN EL ESPECTRO DE O(1S). LA EVAPORACION DE SI SOBRE EL SUSTRATO DE ASGA OXIDADO OCASIONA LA REDUCCION TOTAL DE LOS OXIDOS DE AS Y GA (DE 5 DE ESPESOR) Y EL CRECIMIENTO DE OXIDOS DE SI EN LA INTERCARA. SE CONSIGUE LA FORMACION DE UNA ESTRUCTURA ABRUPTA SI/SIO2/ASGA CON POSIBILIDADES DE APLICACION EN LA TECNOLOGIA DE ASGA PARA LA OBTENCION DE INTERCARAS AISLANTE/SEMICONDUCTOR. SE LLEVA A CABO UN ESTUDIO DE LA VARIACION DE LA POSICION DEL NIVEL DE FERMI EN LA BANDA PROHIBIDA (GAP) DE ASGA DURANTE LA FORMACION DE LAS DISTINTAS INTERCARAS OXIDO/SEMICONDUCTOR ESTUDIADAS, PONIENDOSE DE MANIFIESTO LA RELACION ENTRE LA POSICION DEL NIVEL DE FERMI Y LA QUIMICA DE LAS REACCIONES INTERFACIALES.
