Resistencia de contacto y estructura superficial de materiales dopados con n

• Autores: Jose Avila Sanchez
• Directores de la Tesis: José Luis Sacedón Adelantado (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Complutense de Madrid ( España ) en 1994
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Francisco Sánchez Quesada (presid.), Maria Eloisa Lopez Perez (secret.), José Luis Vicent López (voc.), Tomás Rodríguez Bachiller (voc.), Mercedes Fernández Rodríguez (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
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• Resumen

  • * LA RESISTENCIA DE CONTACTO DISMINUYE EXPONENCIALMENTE CON LA CONCENTRACION DE N EN EL AL DOPADO CON N. * VOLUMEN: EXISTE UNA ESTRUCTURA DE CLUSTER DE ALN JUNTO CON N DILUIDO EN EL AL DOPADO HASTA UN 6% DE N. * OXIDO NATIVO: LOS CLUSTER SE MANTIENE ASI COMO EL ENLACE QUIMICO DEL N. * OXIDO ANODICO: LOS CLUSTER SE DESTRUYEN, EXISTIENDO UNA GRAN CANTIDAD DE ENLACES DE AL NO SATURADOS. * DEFECTOS ESTRUCTURALES EN EL ACOPLO ENTRE LAS REDES DE ALN Y AL2O3 PUEDEN CAUSAR LA DISMINUCION DE LA RESISTENCIA DE CONTACTO AL/SI3N4. * EXISTE UNA REDUCCION TOTAL DEL SI3N4 A T=400C, FORMANDOSE ALN. * UN TRATAMIENTO TERMICO A 400C PRODUCE LA REDUCCION TOTAL DE 24 ANGSTROM DE SI3N4.