* LA RESISTENCIA DE CONTACTO DISMINUYE EXPONENCIALMENTE CON LA CONCENTRACION DE N EN EL AL DOPADO CON N. * VOLUMEN: EXISTE UNA ESTRUCTURA DE CLUSTER DE ALN JUNTO CON N DILUIDO EN EL AL DOPADO HASTA UN 6% DE N. * OXIDO NATIVO: LOS CLUSTER SE MANTIENE ASI COMO EL ENLACE QUIMICO DEL N. * OXIDO ANODICO: LOS CLUSTER SE DESTRUYEN, EXISTIENDO UNA GRAN CANTIDAD DE ENLACES DE AL NO SATURADOS. * DEFECTOS ESTRUCTURALES EN EL ACOPLO ENTRE LAS REDES DE ALN Y AL2O3 PUEDEN CAUSAR LA DISMINUCION DE LA RESISTENCIA DE CONTACTO AL/SI3N4. * EXISTE UNA REDUCCION TOTAL DEL SI3N4 A T=400C, FORMANDOSE ALN. * UN TRATAMIENTO TERMICO A 400C PRODUCE LA REDUCCION TOTAL DE 24 ANGSTROM DE SI3N4.
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