Crecimiento por epitaxia de haces químicos (cbe) de gaas a partir de tbas y de tega
- Autores: Mohamed Ait Lhouss
- Directores de la Tesis: José Luis Castaño Palazón (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad Complutense de Madrid ( España ) en 1995
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Juan Manuel Rojo Alaminos (presid.), Ignacio Mártil de la Plaza (secret.), Juan Piqueras (voc.), Jose Luis De Miguel Anton (voc.)
- Materias:
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- Resumen
SE HA DESARROLLADO Y PUESTO A PUNTO UN SISTEMA DE CRECIMIENTO EPITAXIAL DE CAPAS SEMICONDUCTORAS EN CONDICIONES DE ULTRA ALTO VACIO A PARTIR DE ORGANOMETALICOS (CBE). SE HAN ESTUDIADO LAS CONDICIONES Y PRODUCTOS DE DESCOMPOSICION DEL TBAS EN UNA CELULA DE INYECCION DE NITRURO DE BORO, ENCONTRANDOSE LAS MEJORES CONDICIONES PARA LA UTILIZACION DE TBAS COMO FUENTE DE AS.
SE HAN CRECIDO CAPAS DE ASGA A PARTIR DE FLUJOS CONTINUOS DE TEGA Y TBAS Y SE HA ESTUDIADO LA CALIDAD DE ESTAS CAPAS EN FUNCION DE LAS CONDICIONES DE CRECIMIENTO (TEMPERATURA DEL SUSTRATO, VELOCIDAD DE CRECIMIENTO, RELACION DE FLUJOS Y TEMPERATURA DE DESCOMPOSICION DE TBA). EL ESTUDIO DE LA CALIDAD DE LAS CAPAS HA INCLUIDO CARACTERIZACION ELECTRICA, OPTICA Y MORFOLOGICA.
SE HAN CRECIDO ASI MISMO CAPAS DE ASGA A PARTIR DE FLUJOS ALTERNADOS DE TBAS Y TEGA.
EN ESTAS CONDICIONES SE HAN OBTENIDO CRECIMIENTOS PARA TEMPERATURAS DEL SUSTRATO POR ENCIMA DE 380 GRADOS C.
