La radiación en los dispositivos de semiconductores: generación y atrapamiento de portadores
- Autores: Antonio Bru Espino
- Directores de la Tesis: Miguel Angel Rodríguez Díaz (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad Complutense de Madrid ( España ) en 1995
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Carlos Sánchez del Río (presid.), Fernando Arqueros Martínez (secret.), Germán González Díaz (voc.), Francesc Sagués Mestre (voc.), Luis Pesquera González (voc.)
- Materias:
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- Resumen
EN ESTE TRABAJO SE ESTUDIAN LOS EFECTOS QUE PRODUCE UNA RADIACION IONIZANTE AL INCIDIR SOBRE UN DISPOSITIVO MOS (METAL-OXIDO- SEMICONDUCTOR). DICHO ESTUDIO SE SEPARA EN DOS PARTES: LA GENERACION Y RECOMBINACION INICIAL DE LOS PARES ELECTRON -HUECO Y EL PROCESO DE TRANSPORTE Y ATRAPAMIENTO DE LOS HUECOS QUE ESCAPAN A LA RECOMBINACION INICIAL. EL TRANSPORTE DE LOS ELECTRONES NO SE ESTUDIA DEBIDO A QUE SON "BARRIDOS" INMEDIATAMENTE POR LA ACCION DEL CAMPO ELECTRICO EXISTENTE EN EL DISPOSITIVO.
EN LA PRIMERA PARTE SE ESTUDIA LA INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA, CAMPO ELECTRICO EXTERNO APLICADO Y CAMPO ELECTRICO CREADO POR LAS DISTRIBUCIONES DE PORTADORES. SE ESTUDIAN TAMBIEN EFECTOS DE SEGREGACION DE PORTADORES.
PARA ESTUDIAR EL TRANSPORTE ESTOCASTICO DE LOS HUECOS DESDE SUS LUGARES DE GENERACION HASTA LA INTERFASE SI-SIO2. SE PRESENTA EL DESARROLLO DE UN TRATAMIENTO ANALITICO, CUYOS RESULTADOS SE COMPARAN CON SIMULACIONES DE MONTECARLO. SE CONSIDERA EL ATRAPAMIENTO DE LOS HUECOS POR TRAMPAS.
