Estudio de la deposición de sicilio por transporte químico en fase de vapor (ctv) a partir de aleaciones cobre-silicio
- Autores: Paloma Tejedor Jorge
- Directores de la Tesis: Enrique Dominguez Ferrari (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad Complutense de Madrid ( España ) en 1986
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Miguel Ángel Alario Franco (presid.), Carlos Picó Marín (secret.), Antonio Luque López (voc.), A. González Ureña (voc.), Felipe Jiménez Asenjo (voc.)
- Materias:
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- Resumen
Este trabajo estudia el transporte químico en fase de vapor de silicio con HC1 mediante la técnica Van Arkel- de Boer a partir de aleaciones : si como nueva vía de purificación de silicio metalúrgico. El silicio transportado es policristalino de tipo n y resistividad 0.1-1.0 Ohm. Cm. Dicho material tiene una pureza del 99 9999%. La purificación conseguida es el resultado de cuatro mecanismos diferentes; la eliminación de impurezas en forma de óxidos y silicatos en la escoria de fundición la selectividad química inherente al transporte en (fase de vapor) la retención de impurezas en la fase y la condensación de impurezas en forma de cloruros en las zonas frías del reactor. La velocidad de transporte esta controlada por la cinética de las reacciones químicas superficiales que conducen a la formación de silicio por reducción de la especie .
