Preparación mediante depósito de flujo modulado y caracterización de láminas delgadas de sulfuros binarios y ternarios de indio y galio

• Autores: Carlos Sanz Saiz
• Directores de la Tesis: María Teresa Gutiérrez García (dir. tes.), Cecilia Guillén Arqueros (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Complutense de Madrid ( España ) en 2008
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Emilio Morán Miguélez (presid.), José Antonio Campo Santillana (secret.), Fernando Briones Fernández-Pola (voc.), María Isabel Jiménez Ferrer (voc.), José Herrero Rueda (voc.)
• Materias:
  • Química
• Texto completo no disponible (Saber más ...)
• Resumen

  • Esta tesis trata sobre la preparación de láminas delgadas de la familia de compuestos semiconductores III-VI, concretamente láminas delgadas de Ga-S, In-S y (Ga,In)-S. Estas películas fueron obtenidas mediante una técnica denominada Depósito de Flujo Modulado (DFM), empleando para ello un prototipo pre-industrial. El trabajo se centró en el ajuste de los parámetros de depósito de dicho equipo para la obtención de láminas de espesor adecuado para las aplicaciones fotovoltaicas y opto-electrónicas (50 nm-200 nm) de las mencionadas composiciones, así como su caracterización química, estructural, morfológica y óptica y el estudio del efecto de la relación atómica Ga/In en las propiedades de dichas láminas.