Crecimiento por mbe de pozos cuánticos de ingaasn sobre gaas (111)b y (100) para su aplicación en láseres de semiconductor
- Autores: Javier Miguel Sánchez
- Directores de la Tesis: Álvaro Fernández González (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad Politécnica de Madrid ( España ) en 2006
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Enrique Calleja Pardo (presid.), Adrián Hierro Cano (secret.), Mark Hopkinson (voc.), Jorge Julián Sánchez Martínez (voc.), Achim Trampert (voc.)
- Materias:
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- Resumen
En este trabajo se presenta el crecimiento por epitaxia de haces moleculares de InGaAsN sobre GaAs (111)B y (100), para su aplicación al desarrollo de dispositivos optoelectrónicos para comunicaciones ópticas, basados en la tecnología bien desarrollada del GaAs.
La utilización de sustratos GaAs (111)B viene motivada por las propiedades que podrían presentar las heteroestructuras tensionadas crecidas sobre este tipo de orientación, similares a las del sistema InGaAs/GaAs (111)B: Existencia teórica de un campo piezoeléctrico, distintas propiedades para el espesor de capa crítico crítico y la posibilidad de realizar dispositivos electro-ópticos no lineales.
Se presenta la dependencia de la calidad óptica y estructural de pozos cuánticos de InGaAsN sobre sustratos desorientados de GaAs (111)B con los pa\-rá\-me\-tros de crecimiento: Velocidad de crecimiento, flujo de arsénico, temperatura de sustrato. Esta calidad es estudiada mediante diferentes técnicas estructurales (Microscopía de Transmisión de Electrones, de Fuerza Atómica, de Barrido de Electrones y Nomarski) así como técnicas de caracterización óptica (Fotoluminiscencia y catodoluminiscencia). Se observa cómo es necesario un elevado flujo de arsénico y una baja temperatura de crecimiento para optimizar la emisión de los pozos cuánticos.
Para el crecimiento de nitruros diluidos en esta Tesis Doctoral se caracteriza y optimiza un plasma de nitrógeno generado por radiofrecuencia, y se presenta un método para caracterizar plasmas usandos en crecimiento in-situ, utilizando para ello una sonda Bayard-Alpert. Mediante este método, se puede detectar la presencia de iones llegando sobre el sustrato durante el crecimiento.
La aplicación de campos magnéticos para deflectar los iones del plasma demuestra que la calidad estructural y óptica de los pozos cuánticos de InGaAsN es muy dependiente de la presencia de iones durante el crecimento: Al reducir la d
